在化學上,ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫。
作為納米銦錫金屬氧化物,具有很好的導電性和透明性,可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線。因此,銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上,用作透明導電薄膜,同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。
在氧化物導電膜中,以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率和導電性能,而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形,其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制,通常SnO2:In2O3=1:9。
ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右,可達5*10E-5,已接近金屬的電阻率,在實際應用時,常以方塊電阻來表征ITO的導電性能,其透過率則可達90%以上,ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制,增加氧化銦比例則可提高ITO之透過率,通常SnO2: In2O3=1:9,因為氧化錫之厚度超過200Å時,通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好。
如果是電流平行流經(jīng)ITO膜層的情形,其中d為膜厚,I為電流,L1為在電流方向上膜厚層長度,L2為在垂直于電流方向上的膜層長度,當電流流過方形導電膜時,該層電阻R=PL1/dL2式中P為導電膜 之電阻率,對于給定膜層,P和d可視為定值,P/d,當L1=L2時,對于正方形膜層,無論方塊大小如何,其電阻均為定值P/d,此即方塊電阻定義: R□=P/d,式中R□單位為:歐姆/□(Ω/□),由此可得出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關且ITO膜阻值越低,膜厚越大。
在STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃,其R□可達10Ω/□左右,膜厚為100-200nm,而一般低檔TN產(chǎn)品的ITO玻璃R□為100-300Ω/□,膜厚為20-30nm。