5V-12V升24V+60V/20A的NMOS
AH6953為一款頻率可調(diào)、外置MOSFET大電流升壓芯片，電路PWM輸出直接驅(qū)動(dòng)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)升壓實(shí)現(xiàn)大電流輸出，芯片的輸入范圍為2.2V-15V，該控制器采用獨(dú)特的控制方案，PWM（脈沖寬度調(diào)制）的優(yōu)越性，提供一個(gè)、較寬電壓調(diào)節(jié)范圍的電源。具有較小的靜態(tài)電流，在重載情況下具有較高的效率，噪聲小。采用很小體積的外圍元件就可獲得滿意的輸出紋波，這樣便于降低電路成本及電路的尺寸。AH6953廣泛應(yīng)用于CCD/CATV/PMPDSC/DSV、STB/VGA Card、DPF(數(shù)碼相框)、LCD Panel背光、移動(dòng)電源、應(yīng)急充電器，其基本特性如下：
@提供高度參考電壓源: 0.5V(+/-2％)
@Totem Pole 輸出PWM 信號(hào)，用以直接推動(dòng)NMOS
@寬工作電壓范圍：3.6V-15V
@寬工作頻率范圍：50KHz1MHz
@欠壓IC 栓鎖功能(UVLO)
@PWM DTC 限制：75％
@軟開(kāi)機(jī)及短路保護(hù)功能 (Soft-Start amp；am SCP)
@省電功能 (Shutdow Mode)
@采用TSSOP-8L封裝
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產(chǎn)品型號(hào) 電壓參數(shù) 電流參數(shù) 阻值參數(shù) 封裝參數(shù)
20N03 電壓/30V 電流/20A 內(nèi)阻/26mΩ 封裝 TO-252/SOP-8
60N03 電壓/30V 電流/60A 內(nèi)阻/13mΩ 封裝 TO-252/TO-220鐵
80N03 電壓/30V 電流/80A 內(nèi)阻/10mΩ 封裝 TO-252
85N03 電壓/30V 電流/85A 內(nèi)阻/ 8mΩ 封裝 TO-252
150N03 電壓/30V 電流/150A 內(nèi)阻/4mΩ 封裝 TO-220鐵
30P03 電壓/30V 電流/30A 內(nèi)阻/30mΩ 封裝 TO-252
20N04 電壓/40V 電流/20A 內(nèi)阻/35mΩ 封裝 TO-252
60N04 電壓/40V 電流/60A 內(nèi)阻/ 5mΩ 封裝 TO-252
20N06 電壓/60V 電流/20A 內(nèi)阻/50mΩ 封裝 TO-252
50N06 電壓/60V 電流/50A 內(nèi)阻/20mΩ 封裝 TO-252/TO-220F/SOP-8
75N75 電壓/75V 電流/75A 內(nèi)阻/9 mΩ 封裝 TO-220鐵
我們專業(yè)生產(chǎn)銷(xiāo)售各種高低壓大小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管，如果你有需要請(qǐng)和我們聯(lián)系13538067573-XV同號(hào)
MOS管又稱場(chǎng)效應(yīng)管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
