IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應用（例如，逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、消費類應用（例如，空調和電磁爐），以及車載應用（例如，電動汽車（EV）電機控制器）。

IGBT廣泛應用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：

從發(fā)電端來看，風力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。

從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。

從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關鍵器件。

從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅動等都對IGBT有大量的需求。

三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后，直流母線電壓的值：在開關工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級，選擇1200V電壓等級的IGBT。

以30kW變頻器為例，負載電流約為79A，由于負載電氣啟動或加速時，電流過載，一般要求1分鐘的時間內，承受1.5倍的過流，擇負載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級的IGBT。