IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷海笽GBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但若ce過大，則負(fù)載短路時(shí)其c隨ce增大而增大，對(duì)其不利，使用中選GE《15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通，一般選UGE -- 5V為宜。

采用脈沖變壓器隔離驅(qū)動(dòng)IGBT，該方式是利用變壓器的工作原理，由次級(jí)感應(yīng)電壓直接驅(qū)動(dòng)IGBT，如上圖1所示。由于變壓器具有阻抗變換與隔離作用，所以這種驅(qū)動(dòng)方式不僅簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路，還解決了驅(qū)動(dòng)電路的供電與 IGBT不共地的連接問題。

在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。