IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
從功能上來(lái)說(shuō),IGBT就是一個(gè)電路開(kāi)關(guān),優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級(jí)、電流幾十到幾百安量級(jí)的強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕,它是由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開(kāi)關(guān),就可以設(shè)計(jì)出一類(lèi)電路,通過(guò)計(jì)算機(jī)控制IGBT,把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電,或是把各種電變成所需頻率的交流電,給負(fù)載使用。這類(lèi)電路統(tǒng)稱變換器。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
熱限制就是我們脈沖功率,時(shí)間比較短,它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn),可能突然增加,這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),動(dòng)態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問(wèn)題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小,這個(gè)壽命才長(zhǎng)。