變頻器需要更改功率。很簡(jiǎn)單，變頻器的功率等系統(tǒng)參數(shù)，都是保存在ROM里面。很多機(jī)器的功率是不能輕易去更改的，只有用這個(gè)辦法：復(fù)制ROM數(shù)據(jù)！這樣的話，主板更換也就不怕功率不對(duì)了。

產(chǎn)生過(guò)電壓的原因一般因感性負(fù)載電路的開(kāi)閉、電源電壓波動(dòng)、快速熔斷器熔斷、電源側(cè)侵入的浪涌電壓等，針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因，可采取不同的抑制方法，如抑制過(guò)電壓能量的上升速率、增加其能量的耗散等，目前常用的是中主電路回路中接入吸收能量的元件，使能量得以耗散，稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路。

通常過(guò)電壓具有較高的頻率，因此常采用電容作為吸收元件，但為防止振蕩，增加阻尼電阻，構(gòu)成R、C吸收回路。阻容吸收回路可以接在電源輸入側(cè)（交流側(cè)）、輸出側(cè)（直流側(cè)）和晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間。但R、C阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)是固定的，對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過(guò)電壓吸收能力有限，因而在輸入側(cè)，通常還并有硒堆、壓敏電阻等非線性元件，用以對(duì)晶閘管的過(guò)電壓進(jìn)行吸收。硒堆由多片硒片疊合而成，硒堆涌流容量大，對(duì)過(guò)電壓抵制效果好，有自恢復(fù)特性等優(yōu)點(diǎn)，但因體積大，價(jià)格高，在中、小容量的晶閘管裝置中，已經(jīng)很少應(yīng)用。

判別初、次級(jí)線圈。電源變壓器初級(jí)引腳和次級(jí)引腳一般都是分別從兩側(cè)引出的，并且初級(jí)繞組多標(biāo)有220V字樣，次級(jí)繞組則標(biāo)出額定電壓值，如15V、24V、35V等?？筛鶕?jù)這些標(biāo)記進(jìn)行識(shí)別。