多晶硅料回收生產(chǎn)能力逐漸增加,原材料制造商有了更多的選擇,也會放棄一些使用價值低浪費。但是這個過程是相對簡單的,低成本的回收材料仍然可以降 低成本,是主要的坩堝基地和半導(dǎo)體材料浪費等等。
我們必須除了石英坩堝基地和半成品半導(dǎo)體晶片和金屬加工電路通常使用洗衣籃,籃子靜態(tài)浸泡12小時(根據(jù)酸的濃度和比例)。這種方法是簡單和節(jié)省成本。問題的表面仍在物質(zhì)和酸反應(yīng)的過程中,酸處理能力需要慢慢地釋放了很長一段時間。在這種情況下,如果加入循環(huán)泵,用于混合酸,縮短浸泡時間可以統(tǒng)一處理的效果。
如果使用超過鍋小顆粒床的傳統(tǒng)方法,打破細胞和電路的半導(dǎo)體材料浸泡很難處理或?qū)?dǎo)致更多的浪費。因為在處理的過程中雜質(zhì)、酸材料中心的處理能力大大減弱,和外圍酸的強度不會改變,而且硅材料的損失。在這種情況下,應(yīng)該使用傾斜浸泡,利用浮力,使材料均勻性過程中酸浸過程。
制造工藝
多晶硅太陽能電池制造過程中消耗的能量要比單晶硅太陽能電池少30%左右,因此多晶硅太陽能電池占全球太陽能電池總產(chǎn)量的份額大,制造成本也小于單晶硅電池,所以使用多晶硅太陽能電池將會更加的節(jié)能、環(huán)保!
其實可供制造太陽電池的半導(dǎo)體材料很多,隨著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽電池的品種將越來越多。目前已進行研究和試制的太陽電池,除硅系列外,還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等類型的太陽電池,舉不勝舉,通常這些材料都會用來制作非晶硅電池。
所以,我們在選擇光伏組件的時候,建議根據(jù)實際情況選擇晶體硅光伏組件比較成熟的產(chǎn)品,對于單晶、多晶,一直有爭論,我們安裝商對家庭光伏發(fā)電系統(tǒng)的發(fā)電量并無多大區(qū)別,單晶的利用面積會比較高,單晶在面積利用率上會比較好;多晶市場比例比較高,應(yīng)用的比較廣,價格方面也有一定的優(yōu)勢。但我們要明白一點,對于同樣功率的光伏系統(tǒng),發(fā)電量是相同的。
具體流程介紹如下:切片:將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣都可以利用。退火:雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后,用紅外加熱至300~500℃,硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)的材料,使硅片技術(shù)表面形成二氧化硅再次生產(chǎn)。倒角:將退火的硅片進行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅片廢水和硅渣。硅片再利用一直秉承“變廢為寶、凈化環(huán)境”的理念,融合專業(yè)的服務(wù)體系和先進的再加工技術(shù),為國家的環(huán)保事業(yè),做出著應(yīng)有的貢獻。
對硅片行業(yè)稍微有些了解的人都應(yīng)該知道,廢硅片回收之后是必須要清洗的,而且我們還要對清洗過程給予必要的重視,不能馬馬虎虎,因為硅片回收清洗的效率將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性。下面我們就來了解一下費硅片回收清洗的重要性。
現(xiàn)在人們已研制出了很多種可用于廢硅片回收清洗的工藝方法和技術(shù),常見的有:濕法化學(xué)清 洗、超聲清洗法、兆聲清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高壓噴射法、離心噴射法、流體力學(xué)法、流體動力學(xué)法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝噴霧技 術(shù)、氣相清洗、非浸潤液體噴射法、廢硅片回收在線真空清洗技術(shù)、RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗、等離子體清洗、原位水沖洗法等。這些方法和技術(shù)現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于廢硅片回收 加工和器件制造中的廢硅片回收清洗。
表面沾污指硅表面上沉積有粒子、金屬、有機物、濕氣分子和自然氧化物等的一種或幾種。超純表面定義為沒有沾污的表面, 或者是超出檢測量極限的表面。