雜質(zhì)線(xiàn)痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過(guò)程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線(xiàn)痕。硅錠雜質(zhì)除會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)線(xiàn)痕外，還會(huì)導(dǎo)致切片過(guò)程中出現(xiàn)"切不動(dòng)"現(xiàn)象。如未及時(shí)發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線(xiàn)而產(chǎn)生更大的損失。

表現(xiàn)形式：（1）線(xiàn)痕上有可見(jiàn)黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。

（2）無(wú)可見(jiàn)雜質(zhì)黑點(diǎn)，但相鄰兩硅片線(xiàn)痕成對(duì)，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。

（3）以上兩種特征都有，一般情況下，雜質(zhì)線(xiàn)痕比其它線(xiàn)痕有較高的線(xiàn)弓。

太陽(yáng)能電池板的反向設(shè)計(jì)應(yīng)標(biāo)有技術(shù)參數(shù)，例如：開(kāi)路輸出電壓，短路故障電流，工作電壓等。然后，這取決于太陽(yáng)能電池板反面的承壓效果。太陽(yáng)能板。如果在加壓后有很多氣泡，皺紋和其他痕跡，則將這種顯影太陽(yáng)能電池板歸類(lèi)為不合格。

非晶硅太陽(yáng)能電池 非晶硅太陽(yáng)電池是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽(yáng)電池，它與單晶硅和多晶硅太陽(yáng)電池的制作方法完全不同，工藝過(guò)程大大簡(jiǎn)化，硅材料消耗很少，電耗更低，它的主要優(yōu)點(diǎn)是在弱光條件也能發(fā)電。