硅料回收的清洗特別是涉及對廢硅料去除表面污物的廢硅料清洗方法，一般包括下列步驟：

1、硅料投放于堿液中浸泡；

2、待堿液中硅料上浮時(shí)，撈取硅料，用純水沖洗并瀝干；

3、投放于第二個(gè)堿液中浸泡；

4、待堿液中硅料上浮時(shí)，撈取硅料，用純水沖洗并瀝干；

5、投放于鹽酸、過氧化氫的混合溶液中浸泡，壓縮空氣鼓泡；

6、將中和液中浸泡的硅料投放于純水中浸泡，撈取并烘干。

硅片回收后可制成的芯片是有名的神算子，有著驚人的運(yùn)算才能。無論多么雜亂的數(shù)學(xué)疑問、物理疑問和工程疑問，也無論核算的工作量有多大，工作人員只需經(jīng)過核算機(jī)鍵盤把疑問通知它，并下達(dá)解題的思路和指令，核算機(jī)就能在短的時(shí)間內(nèi)把答案通知你。

為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽電池的成本，研究了硅片厚度對多晶硅太陽電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響?？梢钥闯?，在保證多晶硅太陽電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會下降。

硅有結(jié)晶態(tài)和非晶。常溫下硅單晶介電系數(shù)11.7，對光具有高的折射率(n=3.42)，反射損失較大，涂以適當(dāng)減反射膜可大大提高透過率。硅中的雜質(zhì)會引起光的吸收，氧和碳的吸收帶在室溫下分別位于1107和607cm-1處。