產(chǎn)品描述：

四川梓冠的單片集成光延時(shí)組件，是基于厚膜SOI硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)回路單片集成的創(chuàng)新型產(chǎn)品，它集高速切換、偏振無(wú)關(guān)、高精度、高集成度、低損耗等優(yōu)勢(shì)于一體。

其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到1μs以下，延時(shí)精度比傳統(tǒng)光纖延時(shí)線(xiàn)提升1個(gè)量級(jí)，厚膜SOI硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的產(chǎn)品。

主要特征：

1μs以下超高速切換、純固態(tài)芯片、高延時(shí)精度、超小尺寸、超寬帶工作、超高可靠性。

典型應(yīng)用：

適用于中小延時(shí)量的光時(shí)延應(yīng)用，主要針對(duì)高頻段/小型陣/機(jī)載艦載等場(chǎng)合的光控相控陣雷達(dá)系統(tǒng)、電子對(duì)抗系統(tǒng)。

主要指標(biāo)：

性能指標(biāo)

單位

單片集成多bit可調(diào)光延時(shí)器

備注

延時(shí)位數(shù)

/

1~10

根據(jù)需求確定

延時(shí)步進(jìn)

ps

/

無(wú)下限

大延時(shí)

ns

≤5

延時(shí)偏差

/

≤0.5‰

延時(shí)偏差與延時(shí)量正相關(guān)

延時(shí)切換時(shí)間

μs

≤1

不包含驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)延時(shí)

片內(nèi)單位延時(shí)損耗

dB/bit

2

近似值，與延時(shí)量有關(guān)

封裝圖