金屬硅（1提純）→高純多晶硅—（2摻雜鑄造或拉晶）→多晶硅錠/錠—（3切片）→硅片—（4制絨、擴散、印刷）→電池片—（5層壓、封裝）→電池組件—（6配套連接、安裝）→光伏發(fā)電系統(tǒng)。

其中，提純的環(huán)節(jié)是技術難度的環(huán)節(jié)。有冶金法和化學法兩種方式。

后段工序對設備要求較高

硅料包含單晶硅和多晶硅等，單晶硅有;單晶邊皮、頭尾、棒、鍋底料等，多晶硅有：原生多晶硅、多晶邊皮、多晶方錠等。昆山伍征專業(yè)回收各種硅料。

單晶硅的提煉：純度不高的單質(zhì)硅可用金屬鎂或鋁還原二氧化硅制得，但這是無定形硅。晶形硅則要在電弧爐內(nèi)用碳還原二氧化硅制得，它可用來生產(chǎn)硅鋼片。用作半導體的超純硅的制法則是先用純度不高的硅與氯化氫和氯氣的混合物作用，制取三氯氫硅，并用精餾法提純。然后在還原爐內(nèi)用純氫將三氯氫硅還原，硅就沉積在用超純硅制成的細芯上，這樣制得的超純硅稱為多晶硅，把它放在單晶爐內(nèi)，就可拉制成單晶硅，可用作半導體材料，它的來源豐富，價格便宜，大部分半導體材料都用硅

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對較薄的硅片，但是在此方法的操作過程中，金屬絲要受到多種力的激勵，還要受到機械結構的影響，就不可避免的在切割過程中產(chǎn)生變形與振動，瞬間性的沖擊就會作用在切割的硅片上。為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進一步降低，爭取實現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當?shù)拇蟆Ｒ虼藢崿F(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。

單晶硅主要用于制作半導體元件。

用途： 是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等

熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高。