不銹鋼晶間腐蝕試驗方法：采用硫酸和硫酸銅，加熱溫度650℃左右

試驗?zāi)康模壕чg腐蝕試驗是考核沿晶界的局部腐蝕情況

晶間腐蝕：金屬晶界區(qū)域的溶解速度遠大于晶粒本體的溶解速度時，就會產(chǎn)生晶間腐蝕，產(chǎn)生原因主要是金屬晶界區(qū)的物質(zhì)同晶粒本體的電化學性質(zhì)有差異（外在要具有適當?shù)慕橘|(zhì)在該介質(zhì)條件下足以顯示出晶界物質(zhì)同晶粒本體之間的電化學性質(zhì)差異，而這種差異引起不等速溶解）。

當固溶處理后的奧氏體不銹在500~850溫度范圍內(nèi)加熱時過飽和的碳就要全部或部分地從奧氏體中析出，形成鉻地碳化物，分布在晶界上，析出的碳化鉻的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高得多，含鉻量這樣高的碳化晶界析出必然使碳化物附近的晶界區(qū)貧鉻，形成貧鉻區(qū)，貧鉻區(qū)的電解密度比晶粒本體溶解電解密度大很多，從而使貧鉻區(qū)優(yōu)先溶解，產(chǎn)生晶間腐蝕。

通常在發(fā)生晶間腐蝕的材料表面難以觀察到明顯的變化，但材料表面層各晶粒之間的結(jié)合力已經(jīng)顯著削弱。 不銹鋼中的析出的主要是Cr的碳化物，而Cr是不銹鋼具有耐腐蝕性能的主要基礎(chǔ)元素，Cr在晶間的貧化是導致晶間腐蝕的主要原因，可以通過合理的熱處理消除晶間貧Cr、避免不銹鋼發(fā)生晶間腐蝕

在不銹鋼之外的多種合金材料上均可能發(fā)生晶間腐蝕，但不同的材料對不同的腐蝕介質(zhì)敏感。

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