科研實驗專用硒化銦靶材In2Se3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

硒化銦（In2Se3）是一種Ⅲ-Ⅵ族化合物，具有不同的化學(xué)組成。In2Se3是一種N型半導(dǎo)體化合物，可以應(yīng)用于光電轉(zhuǎn)化、光催化、電子器件等領(lǐng)域。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名硒化銦 分子量466.516

化學(xué)式In2Se3 熔點667℃

密度5.78g/mL （15℃）

支持靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價??！

服務(wù)項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?？蒲袉挝回浀礁犊睿|(zhì)量保證，售后無憂！

產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備

質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報告。

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測→包裝出庫

陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。

注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！

建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。