地坪光亮劑產(chǎn)品，是一種新型地坪拋光材料，采用了源自德國的特種高分子材料的高科技產(chǎn)品，和普通地坪光亮劑不同的是，它不僅僅是在表面形成一個膜層，它能夠深入滲透到地面內(nèi)部，經(jīng)過物理機械拋光后能賦予地坪很好的光澤度。力特克地坪光亮劑產(chǎn)品適用于：金剛砂耐磨地坪、混凝土密度固化地坪、水磨石地坪、大理石等產(chǎn)品的表面拋光之用。

通過上面的介紹，我們在施工硬化地坪時，非常有必要用地坪拋光液進行拋光，因為地坪拋光液不單單只是提高地坪的光澤度，還能提高地面抗?jié)B、防塵、抗污保潔的功能，讓地坪更有質(zhì)感的同時，也能更好的對地面進行養(yǎng)護?？梢哉f硬化地坪使用拋光液進行拋光并非畫蛇添足而是錦上添花，讓硬化地坪的效果更上一層樓！

地坪拋光液的施工方法：

利用拖把、刮刀、軟毛刷或滾筒等涂刷均勻，待地面將光亮劑吸收（約20分鐘）后，再用軟性物擦拭表面或者用拋光機拋光（采用白色羊毛纖維墊），直至光亮度表現(xiàn)出來為止。拋光完成后，即可上人，氣溫較低時，間隔時間需要適度延長。

注意事項：

內(nèi)含乳化劑和少量溶劑，未經(jīng)稀釋的本產(chǎn)品可能刺激眼睛。使用時應避免濺入眼睛中或皮膚上。若不慎濺入眼睛里或皮膚上，需用大量的清水沖洗。若仍有刺激性，請看醫(yī)生。本品不能吞服，若不慎吞服，及時就醫(yī)。不用時保持容器密封。謹防兒童接觸。

化學機械拋光

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。