在硬化地坪施工過程中，到底要不要用拋光液進行拋光處理呢？

地坪拋光液是一種用來提升硬化地坪亮度的產(chǎn)品，也叫做地坪光亮劑、地坪亮光劑、地坪增亮劑、地坪拋光機等等，生產(chǎn)的濃縮型滲透地坪光亮劑，是采用了源自德國的特種高分子材料，具有抗磨損、防刮傷、防刻劃的功能。地坪拋光液用途非常廣泛，可用于水泥制品、大理石、水磨石、耐磨骨料等為基礎表面拋光，它的特點就是滲入地坪，在干燥的過程中和混凝土粘結在一起，干燥后經(jīng)過物理拋光，能賦予地坪超亮的光澤的同時，還能提高表面的防水、防塵、抗污保潔和抗磨性能。

地坪拋光液的施工方法：

利用拖把、刮刀、軟毛刷或滾筒等涂刷均勻，待地面將光亮劑吸收（約20分鐘）后，再用軟性物擦拭表面或者用拋光機拋光（采用白色羊毛纖維墊），直至光亮度表現(xiàn)出來為止。拋光完成后，即可上人，氣溫較低時，間隔時間需要適度延長。

注意事項：

內(nèi)含乳化劑和少量溶劑，未經(jīng)稀釋的本產(chǎn)品可能刺激眼睛。使用時應避免濺入眼睛中或皮膚上。若不慎濺入眼睛里或皮膚上，需用大量的清水沖洗。若仍有刺激性，請看醫(yī)生。本品不能吞服，若不慎吞服，及時就醫(yī)。不用時保持容器密封。謹防兒童接觸。

化學機械拋光

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠實現(xiàn)全局平面化的有效方法。

（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。