至于封釉的頻率,與車子的使用率和空氣環(huán)境、洗車次數(shù)有直接的關(guān)系。一般的車封完釉保養(yǎng)得好的話一年左右就要再封第二次。以杭州的天氣來講,封釉間隔大約是3到4個月。 別看只是清洗,卻很有講究。清洗劑要使用中性的,因為堿性的清潔劑會腐蝕車漆,如果殘存在車體縫隙中,腐蝕性就更大了,建議您使用中性洗車劑,避免傷害車漆。
氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。如:硅片、化合物晶體、精密光學器件、寶石等的拋光加工。
研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的,水質(zhì)硬切削量多,則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機在相同的時間內(nèi)切屑量多,所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水攪勻后,在光整時會粘附在零件與磨料的表面,對金屬表面氧化膜的化學作用,使其軟化,易于從表面研磨除去,以提高研磨效率。
半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展,對拋光技術(shù)提出了新的要求,傳統(tǒng)的拋光技術(shù)(如:基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表面,但卻都是局部平面化技術(shù),不能做到全局平面化,而化學機械拋光技術(shù)解決了這個問題,它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。
CMP技術(shù)綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢:單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,平整性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深?;瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級,是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。