地坪拋光液是固化地坪塑造高光效果的關(guān)鍵，該材料常用于項(xiàng)目的收尾階段，均勻噴灑于地坪表面，再進(jìn)行高速拋光即可打造出良好的光感。為了讓大家更好地了解地坪拋光液這款產(chǎn)品，下文來(lái)介紹一下它的主要成分，詳情如下。 地坪拋光液的簡(jiǎn)單介紹 地坪拋光液也叫「混凝土拋光液」，可用于提升多種水泥基地面的光澤度和亮度。地坪拋光液使用方便且快捷，噴灑于固化地坪表面，配合上專(zhuān)業(yè)拋光墊進(jìn)行高速拋光，即可改善白斑、花斑及色差等地面問(wèn)題，使得地坪表面光澤度一致，達(dá)到光亮如鏡的效果。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對(duì)基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對(duì)拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問(wèn)題，它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。