汽車行駛在各種路面，很容易附著上臟污的東西，剛剛洗完的車開出去不久，車漆上就會又成了灰蒙蒙的一片。而釉表面不粘、不附著的特性，使得漆面即使在惡劣和污染的環(huán)境中也能長久保持潔凈，而且還可以有效的抵御溫度對車漆造成的影響，具有防酸、防堿、防退色、抗氧化、防靜電、高保真等功能,封釉可以有效地降低表面的粗糙度，減少漆面和外界的摩擦，從而更好地保護(hù)漆面，但封釉本身由于其材質(zhì)和施工方式的限制無法給漆面提供硬度，很多時(shí)候是商家宣傳的噱頭。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。 拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動力學(xué)過程。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。