應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域,配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品,能達(dá)到超精細(xì)拋光效果,拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷,3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光,SiO2磨料呈球形,具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點(diǎn)。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋,具有拋光速率高,拋光后易清洗,表面粗糙度低,能夠得到總厚偏差(TTV)極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用,如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域,拋光后能達(dá)到良好的拋光效果
多晶金剛石拋光液 多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分,配合高分散性配方,可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。
依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等,對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明,化學(xué)機(jī)械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng),它存在著兩個動力學(xué)過程。
CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢:單純的化學(xué)拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,平整性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機(jī)械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深?;瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級,是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。