研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的,水質(zhì)硬切削量多,則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機(jī)在相同的時(shí)間內(nèi)切屑量多,所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水?dāng)噭蚝?,在光整時(shí)會粘附在零件與磨料的表面,對金屬表面氧化膜的化學(xué)作用,使其軟化,易于從表面研磨除去,以提高研磨效率。
半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展,對拋光技術(shù)提出了新的要求,傳統(tǒng)的拋光技術(shù)(如:基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表面,但卻都是局部平面化技術(shù),不能做到全局平面化,而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問題,它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。
氧化鈰拋光液 氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液,該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點(diǎn)。 適用于高精密光學(xué)儀器,光學(xué)鏡頭,微晶玻璃基板,晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。
拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類:金剛石拋光液(多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液)、氧化硅拋光液(即CMP拋光液)、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。