氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

封釉：封釉的基本原理是依靠震拋技術(shù)將釉劑反復(fù)深壓進車漆紋理中，形成一種特殊的網(wǎng)狀保護膜，從而提高原車漆面的光澤度、硬度。

釉與車漆緊密結(jié)合在一起，但是由于釉是有石油制備而來，比較容易氧化，所以會導(dǎo)致車漆與釉共同氧化的問題。

二氧化硅，化學(xué)術(shù)語，純的二氧化硅無色，常溫下為固體，化學(xué)式為SiO?，不溶于水。不溶于酸，但溶于氫氟酸及熱濃磷酸，能和熔融堿類起作用。自然界中存在有結(jié)晶二氧化硅和無定形二氧化硅兩種。二氧化硅用途很廣泛，主要用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、氣凝膠氈、硅鐵、型砂、單質(zhì)硅、水泥等，在古代，二氧化硅也用來制作瓷器的釉面和胎體。一般的石頭主要由二氧化硅、碳酸鈣構(gòu)成。

應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達到超精細(xì)拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達到國際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點。 3、 硅晶圓、藍寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達到良好的拋光效果

一些制樣技術(shù)對金剛石拋光劑的要求更高, 并且對一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對試樣的要求高意味對研磨劑要進行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個可接受的試樣，使用價格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時間和成本都必須綜合起來考慮。

金剛石晶粒大小的分布與各晶粒大小之間的差距應(yīng)盡可能的小，這是非常重要的。 因為如果在拋光劑中存在單個的金剛石大晶粒，那么試樣表面由它們形成的劃痕將無法在后道工序中消除。 反之，晶粒太小又不利于試樣的磨削。因此，控制粒度分布在金剛石產(chǎn)品的生產(chǎn)中是非常重要的。