這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達(dá)到超精細(xì)拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點(diǎn)。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達(dá)到良好的拋光效果

拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級(jí)的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

一些制樣技術(shù)對(duì)金剛石拋光劑的要求更高, 并且對(duì)一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對(duì)試樣的要求高意味對(duì)研磨劑要進(jìn)行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個(gè)可接受的試樣，使用價(jià)格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時(shí)選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時(shí)間和成本都必須綜合起來考慮。

防銹的特點(diǎn)，能夠保證不產(chǎn)生銹蝕，適當(dāng)?shù)募尤敕冷P劑，需要要求防銹處理，主要是針對(duì)水性研磨拋光液而言，對(duì)于油性研磨拋光液，一般是不會(huì)產(chǎn)生銹蝕的問題。

潤(rùn)滑作用。主要是指研磨拋光液滲入工件以及磨粒切屑之間所形成的潤(rùn)滑膜，這層膜能夠減輕摩擦，使砂輪耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出現(xiàn)惡化。