氧化硅拋光液 氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。 廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。

這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過(guò)程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

潤(rùn)滑作用。主要是指研磨拋光液滲入工件以及磨粒切屑之間所形成的潤(rùn)滑膜，這層膜能夠減輕摩擦，使砂輪耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出現(xiàn)惡化。

拋光：工件通過(guò)了粗拋、精拋工藝后，進(jìn)入拋光工序;也是終實(shí)現(xiàn)光學(xué)表面層實(shí)現(xiàn)的后一個(gè)部分，前提下前兩者必須要為后一步拋光做好準(zhǔn)備，使得在整個(gè)拋光過(guò)程當(dāng)中，盡量去除粗拋與精拋所留下的破環(huán)層，實(shí)現(xiàn)光學(xué)表面理想鏡面效果。

一些制樣技術(shù)對(duì)金剛石拋光劑的要求更高, 并且對(duì)一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對(duì)試樣的要求高意味對(duì)研磨劑要進(jìn)行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個(gè)可接受的試樣，使用價(jià)格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時(shí)選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時(shí)間和成本都必須綜合起來(lái)考慮。

防銹的特點(diǎn)，能夠保證不產(chǎn)生銹蝕，適當(dāng)?shù)募尤敕冷P劑，需要要求防銹處理，主要是針對(duì)水性研磨拋光液而言，對(duì)于油性研磨拋光液，一般是不會(huì)產(chǎn)生銹蝕的問(wèn)題。

潤(rùn)滑作用。主要是指研磨拋光液滲入工件以及磨粒切屑之間所形成的潤(rùn)滑膜，這層膜能夠減輕摩擦，使砂輪耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出現(xiàn)惡化。