氧化硅拋光液 氧化硅拋光液(CMP拋光液)是以高純硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。 廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光,如:硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦,精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。
這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中,初的半導(dǎo)體基片(襯底片)拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末,一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。
硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程,要獲得質(zhì)量好的拋光片,必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用,則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用,則表面產(chǎn)生高損傷層。
應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域,配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品,能達(dá)到超精細(xì)拋光效果,拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷,3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光,SiO2磨料呈球形,具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點(diǎn)。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋,具有拋光速率高,拋光后易清洗,表面粗糙度低,能夠得到總厚偏差(TTV)極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用,如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域,拋光后能達(dá)到良好的拋光效果
一些制樣技術(shù)對金剛石拋光劑的要求更高, 并且對一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對試樣的要求高意味對研磨劑要進(jìn)行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個可接受的試樣,使用價格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時選擇金剛石產(chǎn)品,制樣的質(zhì)量、時間和成本都必須綜合起來考慮。
金剛石晶粒大小的分布與各晶粒大小之間的差距應(yīng)盡可能的小,這是非常重要的。 因為如果在拋光劑中存在單個的金剛石大晶粒,那么試樣表面由它們形成的劃痕將無法在后道工序中消除。 反之,晶粒太小又不利于試樣的磨削。因此,控制粒度分布在金剛石產(chǎn)品的生產(chǎn)中是非常重要的。