多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時(shí)不易對(duì)研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對(duì)基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對(duì)拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問(wèn)題，它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

拋光粉通常由氧化鈰、氧化鋁、氧化硅、氧化鐵、氧化鋯、氧化鉻等組份組成。不同的材料的硬度不同，在水中的化學(xué)性質(zhì)也不同，因此使用場(chǎng)合各不相同。通常，氧化鈰拋光粉用于玻璃和含硅材料的拋光，氧化鋁拋光粉用于不銹鋼的拋光，氧化鐵也可用于玻璃，但速度較慢，常用于軟性材料的拋光。石材的拋光常使用氧化錫，瓷磚的拋光常使用氧化鉻。

氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級(jí)的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。