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安普(江蘇)拋光材料生產(chǎn)廠家

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連云港封釉拋光液廠家,用心只為更好服務(wù)

2021-09-16 09:12:01  682次瀏覽 次瀏覽
價 格:面議

這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中,初的半導(dǎo)體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末,一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機械拋光的優(yōu)勢:單純的化學(xué)拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,平整性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深?;瘜W(xué)機械拋光可以獲得較為平整的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級,是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

氧化鋁和碳化硅拋光液

是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液,主要成分是微米或亞微米級的磨料。

主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

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