多晶金剛石拋光液

多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時(shí)不易對(duì)研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。

主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤(pán)磁頭等的研磨和拋光。

產(chǎn)品類(lèi)型

硅材料

拋光液

藍(lán)寶石

拋光液

砷化鎵

拋光液

鈮酸鋰

拋光液

鍺拋光液

集成電路多次銅布線拋光液

集成電路阻擋層拋光液

半導(dǎo)體行業(yè)

CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對(duì)基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對(duì)拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問(wèn)題，它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光。如：硅片、化合物晶體、精密光學(xué)器件、寶石等的拋光加工。