CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢:單純的化學(xué)拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,平整性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機(jī)械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深。化學(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí),是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。
CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實(shí)現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展,聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。
半導(dǎo)體行業(yè)
CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對(duì)基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展,對(duì)拋光技術(shù)提出了新的要求,傳統(tǒng)的拋光技術(shù)(如:基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表面,但卻都是局部平面化技術(shù),不能做到全局平面化,而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問題,它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。
氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光。如:硅片、化合物晶體、精密光學(xué)器件、寶石等的拋光加工。