氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。

適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

依據(jù)機械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機械拋光（CMP）機理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程。

這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品顯露出真實的金屬光澤。性能穩(wěn)定、，對環(huán)境無污染等優(yōu)點。