依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程。

CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。

半導體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

多晶金剛石研磨液是利用多晶金剛石良好的韌性制成的研磨液，在研磨拋光過程中能夠保持高磨削力的同時不易產(chǎn)生劃傷，為后續(xù)精密拋光加工提供了良好的條件。廣泛用于光學晶體、陶瓷、超硬合金等各種硬質(zhì)材料的研磨和拋光。