這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過程中,初的半導(dǎo)體基片(襯底片)拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末,一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。
硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程,要獲得質(zhì)量好的拋光片,必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用,則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用,則表面產(chǎn)生高損傷層。
LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石,在加工過程中需要對(duì)其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度,普通磨料難以對(duì)其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對(duì)藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后,表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。
研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的,水質(zhì)硬切削量多,則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機(jī)在相同的時(shí)間內(nèi)切屑量多,所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水?dāng)噭蚝?,在光整時(shí)會(huì)粘附在零件與磨料的表面,對(duì)金屬表面氧化膜的化學(xué)作用,使其軟化,易于從表面研磨除去,以提高研磨效率。