依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。

（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，拋光液具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品顯露出真實的金屬光澤。性能穩(wěn)定、，對環(huán)境無污染等作用。拋光液的主要產品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

氧化硅拋光液氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。

對光澤來說，芳香族，脂肪族差。此性質受固化溫度的影響，隨溫度升高，光澤變好。至于柔軟性，官能基間距離長的聚酰胺更優(yōu)良一些，而交聯(lián)密度高的芳香胺則差。耐熱性與柔軟性正好相反，而粘接性則與柔軟性一致。耐藥品性（耐酸性）受化學結構影響，芳香族比較優(yōu)良，脂肪胺和聚酰胺則易受化學藥品腐蝕。耐水性受官能基質量濃度的支配，官能基質量濃度低、疏水度高的聚酰胺類更耐水，而官能基質量濃度高的芳香族則差一些。