這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過(guò)程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光。如：硅片、化合物晶體、精密光學(xué)器件、寶石等的拋光加工。

應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專(zhuān)門(mén)為光纖連接器開(kāi)發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達(dá)到超精細(xì)拋光效果，拋光后連接器端面沒(méi)有劃傷和缺陷，3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤(pán)基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點(diǎn)。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達(dá)到良好的拋光效果