CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠實現(xiàn)全局平面化的有效方法。

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

研磨液的添加量是根據(jù)水質和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質硬切削量多，則研磨液的添加量應多些。由于離心式研磨機在相同的時間內切屑量多，所以研磨液的添加量應多些。研磨液少量滴入滾筒內被水攪勻后，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。