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    2024-12-28 09:55:01 1032次瀏覽
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    砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外,還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小,導(dǎo)熱性差,不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能,但由于它在高溫下分解,故要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料,技術(shù)上要求比較高。

    近年來固相提取法已應(yīng)用于貴金屬精煉,并將互補(bǔ)或者取代溶劑萃取法。固相提取劑包括陰離子交換樹脂如苯酚甲醛離子交換樹脂 IRA400 以及Superlig 等介質(zhì)系列,或者采用陽離子和陰離子選擇性配位體共價(jià)結(jié)合到固相載體,采用不同的Superlig 介質(zhì)用于連續(xù)分離和提取 Pt、Pd、Rh,對(duì)于 Superlig 介質(zhì)分離機(jī)理包括配位體交換(Pd提取)或者離子交換([PtCl 6 ] 2- 提取), 每一種情況的選擇性取決于高水平的分子識(shí)別,在再生固相提取介質(zhì)時(shí)采用類似于溶劑萃取洗滌和反萃步驟。

    廢焊渣的處理一般采用直接加熱分離法。這種方法不僅回收率低,而且由于直接進(jìn)入大氣層的“鉛煙”而受到環(huán)境的雙重污染,已被禁止。在本文中,液體覆蓋還原技術(shù),不僅有效地抑制了“鉛煙”的揮發(fā),也會(huì)導(dǎo)致錫和鉛的氧化物還原,使廢焊渣的回收率可達(dá)90%以上,既保護(hù)了環(huán)境,又提高了資源的利用效率,并效果理想。

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