場效應管（Field Effect Transistor）又稱場效應晶體管，是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，[1]它屬于電壓控制型半導體器件。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。
場效應管具有輸入電阻高（10 7～10 15Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和 功率晶體管的強大競爭者。
與 雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。
（1）場效應管是電壓控制 器件，它通過V GS(柵源電壓)來控制I D（漏極電流）；
（2）場效應管的控制輸入端 電流極小，因此它的 輸入電阻（10 7～10 12Ω）很大。
