三氟化氮，分子式：NF₃。氣體分子量：71.01，熔點(diǎn)：–206.8℃（1atm），沸點(diǎn)：–129℃（1atm），臨界溫度：–39.3℃，臨界壓力：44.02a三氟化氮tm（4.46MPa），液體密度：1554 kg/m³（1atm，沸點(diǎn)時(shí)），氣體密度：2.95 kg/m（1atm,21℃），水中溶解度（1atm，22℃）：1.43×10-5當(dāng)量濃度。純凈的NF3氣體是一種無色無味的氣體，當(dāng)混入一定量的雜質(zhì)氣體后顏色發(fā)黃，同時(shí)會(huì)有發(fā)霉或刺激性氣味。NF3氣體不可燃，但能助燃。當(dāng)溫度超過350℃時(shí)，三氟化氮?dú)怏w會(huì)緩慢分解，分解時(shí)產(chǎn)生強(qiáng)氧化性氟。因此，在高溫下它是一種強(qiáng)氧化劑。CAS號：7783-54-2。危險(xiǎn)性類別：第2.3類有毒氣體，在空氣中的允許含量為29mg/m三氟化氮主要用途是用作氟化氫－氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的有效部分（約25%）可以以激光輻射釋放出，所 HF-OF激光器是化學(xué)激光器中有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染，尤其是在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時(shí)也是非常良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù)，它的需求量將日益增加。