碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

在整個(gè)切割過程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。

硅片回收的具體要求及作業(yè)時(shí)注意事項(xiàng)

一、具體要求

硅片回收來(lái)說(shuō)，對(duì)他的切割也是一種加工的方法，只不過說(shuō)在這個(gè)過程中對(duì)他的要求相對(duì)也是比較高的。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)硅片的厚度對(duì)他的生產(chǎn)力是會(huì)產(chǎn)生影響的，除此之外還應(yīng)該要看看他的精度應(yīng)該要如何控制，要是把這方面掌握好了，那對(duì)整體作業(yè)的幫助還是蠻大的。

二、作業(yè)時(shí)注意事項(xiàng)

硅片回收進(jìn)行切割的時(shí)候，往往我們都會(huì)用到碳化切割，那么在這個(gè)過程中我們所需要注意的問題就比較多的。當(dāng)我們用碳化硅進(jìn)行切割，那他起到的主要作用就不用說(shuō)了，不僅如此我們還應(yīng)該要看看他的硬度和圓形度是怎么樣的，總體來(lái)說(shuō)這些細(xì)節(jié)對(duì)我們的作業(yè)起到的作用還是很關(guān)鍵的。要是有朋友發(fā)現(xiàn)他的切割能力下降了，那勢(shì)必對(duì)硅片的質(zhì)量也會(huì)有連帶影響，對(duì)于這點(diǎn)還是希望大家能夠注意的

組件回收流化床反應(yīng)器熱處理法：使用流化床反應(yīng)器對(duì)廢棄光伏組件進(jìn)行熱處理。將細(xì)沙放入流化床反應(yīng)器中，在一定溫度、流速的空氣作用下，細(xì)沙處于滾燙流動(dòng)狀態(tài)，具有液體的物理性質(zhì)。將組件放入流化床中，EVA和背板材料會(huì)在反應(yīng)器中氣化，廢氣則從反應(yīng)器中進(jìn)入二次燃燒室，作為反應(yīng)器的熱源。對(duì)于厚度達(dá)到400微米以上的電池片，可以回收完好的硅片。由于制造技術(shù)不斷發(fā)展，電池片逐代變薄，熱處理法已無(wú)法獲得完好的硅片，因此也只能夠適用于回收硅料。

單晶硅太陽(yáng)能組件主要是以單硅晶料為主要原料，而這種新型太陽(yáng)能組件的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉(zhuǎn)換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見光。太陽(yáng)能組件的導(dǎo)電部分是由納米級(jí)二氧化鈦顆粒和幫助導(dǎo)電的電解質(zhì)，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統(tǒng)硅晶太陽(yáng)能電池相比，這種新型太陽(yáng)能組件可以吸收直射陽(yáng)光以及漫射光源。然而，隨著單晶硅組件回收站的日益擴(kuò)大，對(duì)城市的美化起到了不可磨滅的作用。