碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。

在整個切割過程中，對硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時不時就會出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時候容易出現(xiàn)。

太陽能電池拆卸組件收回 太陽能術(shù)語說明（中英對照）

光伏矩陣或發(fā)電板陣 (Array - photovoltaic)

太陽能發(fā)電板串聯(lián)或并聯(lián)聯(lián)接在一同構(gòu)成矩陣.

阻流二極管 (Blocking Diode)

用來防止反向電流, 在發(fā)電板陣中, 阻流二極管用來防止電流流向一個或數(shù)個失效或有遮影的發(fā)電板 (或一連串的太陽能發(fā)電板) 上. 在夜間或低電流出的期間, 防止電流從蓄電池流向光伏發(fā)電板矩陣."

光伏發(fā)電系統(tǒng)平衡 (BOS or Balance of System - photovoltaic)

光伏發(fā)電系統(tǒng)除發(fā)電板矩陣以外的部分. 例如開關(guān), 控制外表, 電力溫控設(shè)備, 矩陣的支撐結(jié)構(gòu), 儲電組件等等.

回收組件是一對光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：單晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體為例描述光發(fā)電過程。P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型硅，形成P－N結(jié)。

當(dāng)光線照射回收組件表面時，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了躍遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當(dāng)外部接通電路時，在該電壓的作用下，將會有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個過程的的實質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過程。

目前國際和國內(nèi)對于回收組件回收有多種可行的技術(shù)路線，但是由于現(xiàn)階段國內(nèi)回收組件的回收規(guī)模較小，也沒有形成相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。

有需要太陽能光伏組件回收的可以速度與本公司聯(lián)系。

單晶硅太陽能組件主要是以單硅晶料為主要原料，而這種新型太陽能組件的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉(zhuǎn)換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見光。太陽能組件的導(dǎo)電部分是由納米級二氧化鈦顆粒和幫助導(dǎo)電的電解質(zhì)，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統(tǒng)硅晶太陽能電池相比，這種新型太陽能組件可以吸收直射陽光以及漫射光源。然而，隨著單晶硅組件回收站的日益擴大，對城市的美化起到了不可磨滅的作用。