碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。

在整個切割過程中，對硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當中遇到的比較頭疼的事，時不時就會出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時候容易出現(xiàn)。

硅片回收的具體要求及作業(yè)時注意事項

一、具體要求

硅片回收來說，對他的切割也是一種加工的方法，只不過說在這個過程中對他的要求相對也是比較高的。簡單來說硅片的厚度對他的生產(chǎn)力是會產(chǎn)生影響的，除此之外還應該要看看他的精度應該要如何控制，要是把這方面掌握好了，那對整體作業(yè)的幫助還是蠻大的。

二、作業(yè)時注意事項

硅片回收進行切割的時候，往往我們都會用到碳化切割，那么在這個過程中我們所需要注意的問題就比較多的。當我們用碳化硅進行切割，那他起到的主要作用就不用說了，不僅如此我們還應該要看看他的硬度和圓形度是怎么樣的，總體來說這些細節(jié)對我們的作業(yè)起到的作用還是很關(guān)鍵的。要是有朋友發(fā)現(xiàn)他的切割能力下降了，那勢必對硅片的質(zhì)量也會有連帶影響，對于這點還是希望大家能夠注意的

多晶硅料回收的流程

1、硅料固體:液體蒸餾回收四氯化硅料提純多晶硅料生產(chǎn)線生產(chǎn)的四個四氯化硅料氣體，純氣體四氯化硅料在四個無填料噴霧吸收塔通過化學反應，二氧化硅料和氯化氫生成的固體形狀，二氧化硅料固體形狀到過濾設(shè)備和干燥設(shè)備，干燥硅料硅料處理包裝進店，二氧化硅料固體恢復過程。

2、四種氣態(tài)四氯化硅料鹽酸復蘇純化學反應發(fā)生在無填料噴霧吸收塔，生成氯化氫氣體，氯化氫氣體在液體真空抽吸泵完成反應生成鹽酸，集中的過程要求，集中存儲。

回收組件是一對光有響應并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應的材料有許多種，如：單晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體為例描述光發(fā)電過程。P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型硅，形成P－N結(jié)。

當光線照射回收組件表面時，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了躍遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當外部接通電路時，在該電壓的作用下，將會有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個過程的的實質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過程。

目前國際和國內(nèi)對于回收組件回收有多種可行的技術(shù)路線，但是由于現(xiàn)階段國內(nèi)回收組件的回收規(guī)模較小，也沒有形成相應的產(chǎn)業(yè)鏈。

有需要太陽能光伏組件回收的可以速度與本公司聯(lián)系。