碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

在整個(gè)切割過程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。

組件回收價(jià)格的過程：

組件回收隨著我們生產(chǎn)能的增加，我們對(duì)組件回收價(jià)格也有著自己的理解和看法。如果說價(jià)格比較低的話那自然對(duì)我們的回收質(zhì)量就不能很好的保證了。但是我們?cè)谏a(chǎn)的時(shí)候也注意避免浪費(fèi)的情況出現(xiàn)。有時(shí)候我們還需要對(duì)組件進(jìn)行浸泡，這樣它的使用效果可能會(huì)比較好。另外如果說我們的作業(yè)哪里出現(xiàn)了什么問題也應(yīng)該要及時(shí)的進(jìn)行處理和維護(hù)這是不能少的，但是總體的大概結(jié)構(gòu)是不會(huì)發(fā)生改變。

組件回收價(jià)格的注意點(diǎn)：

組件回收當(dāng)我們利用組件進(jìn)行操作的時(shí)候，我們還是應(yīng)該要注意一些問題的，好比說我們可以聞聞他的味道，如果說是質(zhì)量比較好的組件那他的價(jià)格可能會(huì)比較貴，因此我們也應(yīng)該要花時(shí)間和心思去進(jìn)行挑選。當(dāng)然了如果說質(zhì)量比較差的話那他可是很容易會(huì)出現(xiàn)斷線之類的問題的，因此可能給我們?cè)斐傻膿p失也是比較大的，這就有點(diǎn)得不償失了，我們也不希望看到這種情況出現(xiàn)，這就要我們自己把握好這個(gè)度了。

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單晶硅太陽(yáng)能組件主要是以單硅晶料為主要原料，而這種新型太陽(yáng)能組件的發(fā)明是受到植物光合作用的啟發(fā)，參照葉綠素可以把光原子轉(zhuǎn)換成能量的原理，利用比較穩(wěn)定的人工染料捕捉光譜中幾乎所有的可見光。太陽(yáng)能組件的導(dǎo)電部分是由納米級(jí)二氧化鈦顆粒和幫助導(dǎo)電的電解質(zhì)，以及金屬釕衍生物的染料組成。與傳統(tǒng)硅晶太陽(yáng)能電池相比，這種新型太陽(yáng)能組件可以吸收直射陽(yáng)光以及漫射光源。然而，隨著單晶硅組件回收站的日益擴(kuò)大，對(duì)城市的美化起到了不可磨滅的作用。