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回收范圍：

1、回收單晶硅片：各種單晶硅圓形棒、原生多晶、單多晶邊皮、頭尾料、

鍋底料、復拉棒,多晶循環(huán)料（頂邊、側邊、底邊、條料）。

2、回收電池片，125單晶、多晶A/B硅片，碎硅片，裸片，拋光片，

藍膜片。

3、回收廢銀漿、擦銀布、銀漿布等含銀廢料.重摻料，硅粉。

4、回收太陽能電池片、碎電池片，擴散片、光刻片、

5、回收各種降級組件，客退組件，庫存組件。

6、各種單晶硅、多晶硅、原生多晶、單多晶邊皮、單晶頭尾料、鍋底料、復拉棒料、多晶循環(huán)料（頂邊、側邊、底邊條料）重摻料等回收。

多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。多晶硅是生產單晶硅的直接原料，是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。

多晶硅的生產技術主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產柱狀多晶硅，為了提高原料利用率和環(huán)境友好，在前者的基礎上采用了閉環(huán)式生產工藝即改良西門子法。該工藝將工業(yè)硅粉與HCl反應，加工成SiHCl3 ，再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經(jīng)過分離后再循環(huán)利用。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。改良西門子法和硅烷法主要生產電子級晶體硅，也可以生產太陽能級多晶硅。