響應(yīng)國(guó)家綠色環(huán)保號(hào)召,全國(guó)上門(mén),廠家高價(jià)現(xiàn)金采購(gòu): 單晶硅回收、多晶硅回收、硅料回收、碎硅片、碎電池片、頭尾、單晶側(cè)邊、擴(kuò)散片、太陽(yáng)能電池片、提純小方錠、單晶邊皮、多晶邊皮、多晶硅片回收、多晶邊皮回收、晶圓片回收、原生多晶、瓜籽料,重?fù)蕉嗑У走叀⒅負(fù)蕉嗑?cè)邊、重?fù)椒巾?、重?fù)絾尉О纛^尾等各種硅料。上門(mén)拆卸廢舊組件、太陽(yáng)能發(fā)電板、太陽(yáng)能庫(kù)存組件, 不良組件等等,量大從優(yōu),歡迎來(lái)電,常年高價(jià)求購(gòu),中介重酬。
回收范圍:
1、回收單晶硅片:各種單晶硅圓形棒、原生多晶、單多晶邊皮、頭尾料、
鍋底料、復(fù)拉棒,多晶循環(huán)料(頂邊、側(cè)邊、底邊、條料)。
2、回收電池片,125單晶、多晶A/B硅片,碎硅片,裸片,拋光片,
藍(lán)膜片。
3、回收廢銀漿、擦銀布、銀漿布等含銀廢料.重?fù)搅希璺邸?
4、回收太陽(yáng)能電池片、碎電池片,擴(kuò)散片、光刻片、
5、回收各種降級(jí)組件,客退組件,庫(kù)存組件。
6、各種單晶硅、多晶硅、原生多晶、單多晶邊皮、單晶頭尾料、鍋底料、復(fù)拉棒料、多晶循環(huán)料(頂邊、側(cè)邊、底邊條料)重?fù)搅系然厥铡?/p>
單晶硅回收用來(lái)加工太陽(yáng)能電池片,首先要在硅片上摻雜和擴(kuò)散,一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣硅片上形成P>N結(jié)。然后采用絲網(wǎng)印刷法,精配好的銀漿印在硅片上做成柵線,經(jīng)過(guò)燒結(jié),同時(shí)制成背電極,并在有柵線的面涂覆減反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。
因此,單晶硅太陽(yáng)能電池的單體片制成了。單體片經(jīng)過(guò)抽查檢驗(yàn),即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽(yáng)能電池組件(太陽(yáng)能電池板),用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構(gòu)成一定的輸出電壓和電流。用框架和材料進(jìn)行封裝。用戶(hù)根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計(jì),可將太陽(yáng)能電池組件組成各種大小不同的太陽(yáng)能電池方陣,亦稱(chēng)太陽(yáng)能電池陣列。單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右,實(shí)驗(yàn)室成果也有20%以上的。
單晶硅是制造半導(dǎo)體硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等。在開(kāi)發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。
單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同,分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材,外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。
單晶硅建設(shè)項(xiàng)目具有巨大的市場(chǎng)和廣闊的發(fā)展空間。在地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素,為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。