硅片加工工藝過程 單晶硅回收

多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有兩種：直拉法和浮融法。其中直拉法直拉法占了約85%。

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率、含氧量。

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為的直徑。

切片：指將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄晶片。

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。

研磨：指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過程可以處理的規(guī)格。

腐蝕：指經(jīng)切片及研磨等機(jī)械加工后，晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層，通常采用化學(xué)腐蝕去除。

拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得平坦度、極小表面粗糙度值的晶片表面，并要求表面無變質(zhì)層、無劃傷的加工工藝。

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