氮化鈦涂層是自PVD技術(shù)發(fā)明以來，常見的一種涂層，具有較高的性價(jià)比，也是在過去的年份中運(yùn)用廣泛的一種PVD涂層,它具有較高的薄膜硬度。用磁控濺射方法沉積的氮化鈦沉積速度慢，表面顆粒小所以表面光滑，而且液滴等表面缺限少,但是表面硬度較低。用磁控陰極弧的方法沉積的氮化鈦，沉積速度快，但表面顆粒大，所以表面光潔度較差，液滴等表面缺陷也較多，但是可以獲得較高的表面硬度。

客戶需要根據(jù)產(chǎn)品特性和要求來決定采用何種方法獲得氮化鈦（TIN）涂層。勝倍爾鍍膜的鍍膜機(jī)自身帶有增強(qiáng)型磁控濺射和磁控陰極弧兩種方法，可以靈活根據(jù)工件來選擇不同的方法獲得氮化鈦（TiN）涂層。

氮化鉻是什么

中文名稱氮化鉻

CAS 2053-27-9

英文名稱 chromium nitride

英文別名 Chromium nitride (Cr2N); Chromium nitride; Dichromium nitride; chromic nitrogen(-3) anion[1]

EINECS 246-016-3

PVD的全寫為Physical Vapor Deposition,中文翻譯為物相沉積。

采用陰極電弧等離子體沉積技術(shù)。陰極電弧等離子體沉積是相對(duì)較新的薄膜沉積技術(shù)，它在許多方面類似于離子鍍技術(shù)。其優(yōu)點(diǎn)：在發(fā)射的粒子流中離化率高，而且這些離化的離子具有較高的動(dòng)能（40-100eV)。許多離子束沉積的優(yōu)點(diǎn)，如提粘著力，增加態(tài)密度、對(duì)化合物膜形成具有高反應(yīng)率等優(yōu)點(diǎn)在陰極電弧等離子體沉積中均有所體現(xiàn)。而陰極電弧等離子體沉積又具有自己一些獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，如可在較多復(fù)雜形狀基片上進(jìn)行沉積，沉積率高，涂層均勻性好，基片溫度低，易于制備理想化學(xué)配比的化合物或合金。

通過蒸發(fā)過程將陰極材料蒸發(fā)是源于高電流密度，所得到的蒸發(fā)物由電子、離子、中心氣相原子和微粒組成。在陰極電弧點(diǎn)，材料幾乎百分百被離化，這里離子在幾乎垂直于陰極表面的方向發(fā)射出去，當(dāng)帶有高能量的鉻離子碰到氮?dú)夂蟊銜?huì)馬上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，變成氣態(tài)的氮化鉻分子了。