一.中頻電爐整流部分的故障及排除

故障現(xiàn)象：設(shè)備空載能起動，但直流電壓達不到額定值，直流平波電抗器有沖擊聲并伴隨抖動。

分析處理：關(guān)掉逆變控制電源，在整流橋輸出端上接上假負載，用示波器觀察整流橋的輸出波形，可看到整流橋輸出缺相波形。缺相的原因可能是：（1）整流觸發(fā)脈沖丟失。（2）觸發(fā)脈沖的幅值不夠、寬度太窄導(dǎo)致觸發(fā)功率不夠，造成晶閘管時通、時不通。（3）雙脈沖觸發(fā)電路的脈沖時序不對或補脈沖丟失。（4）晶閘管的控制極開路、短路或接觸不良。

可控硅損壞原因及處理：(1)冷卻水管堵。檢查水管是否結(jié)垢、進雜物或水管打彎。(2)阻容吸收故障。清理可控硅阻容吸收部分灰塵。 (3)整流脈沖故障造成晶閘管誤導(dǎo)通。用示波器測量整流脈沖輸出，看輸出脈沖是否正常。(4)干擾信號造成晶閘管誤導(dǎo)通。用示波器測量是否有干擾信號， (5)可控硅質(zhì)量差。啟動的瞬間就擊穿或負載增加時可控硅擊穿。

二、中頻電爐逆變部分的故障及排除

故障現(xiàn)象：一、起動時直流電流大，直流電壓和中頻電壓低，設(shè)備聲音沉悶。

分析處理：逆變橋有一橋臂的可控硅可能短路或開路，造成逆變橋三橋臂運行。用示波器分別觀察逆變橋的四個橋臂上的可控硅管壓降波形，若有一橋臂上的可控硅的管壓降波形為一線，該可控硅已擊穿；若為正弦波，該可控硅未導(dǎo)通。更換已穿可控硅；查找可控硅未導(dǎo)通的原因。

逆變可控硅故障的分析：（1）逆變可控硅水套及其冷卻水是否堵塞。（2）注意負載有無對地放電現(xiàn)象。（3）逆變角過大或過小都有可能引起頻繁過流。

二、逆變不能啟動或啟動困難原因和處理方法：

a線圈匝間短路。感應(yīng)圈因長時間冷卻效果不好，絕緣破壞，造成匝間短路。線圈灰塵、氧化皮等導(dǎo)電物造成匝間短路。啟動中頻時出現(xiàn)打火現(xiàn)象，過流指示燈亮，頻繁打火會引起爐線圈擊穿。清理線圈表面雜物，刷絕緣漆或墊石棉板。

b線圈與中頻爐外殼短路。中頻爐線圈外殼松散，爐內(nèi)積灰太多，線圈通過爐子底座放電。加固中頻爐線圈，清理灰塵。

c中頻輸出與線圈連接的銅排短路。由于落異物或銅排沒固定造成銅排間短路。

d中頻電容器外殼對地短路。檢查是否漏水，檢查電容器底座是否積灰太多，檢查電容器瓷底座是否缺失。

e水冷電纜斷、輸出到負載的銅排燒斷。

三、中頻電爐熱電容器故障引起的故障及排除

故障現(xiàn)象：設(shè)備運行正常，經(jīng)常擊穿補償電容。

分析處理：（1）電熱電容器型號規(guī)格不正確,中頻電壓和工作頻率過高。

（2）電容配置不夠。

（3）在電容升壓電路中，串聯(lián)電容與并聯(lián)電容的容量相差太大，造成電壓不均，擊穿電容。

（4）冷卻不好，擊穿電容。

與負載并聯(lián)的電容器可能被擊穿的檢測及處理，電容器一般分組安裝在電容器架上，檢查時應(yīng)先確定被擊穿電容器所在的組。斷開每組電容器的匯流母排與主匯流排之間的連接點，測量每組電容器兩個匯流排間的電阻，正常時應(yīng)為無窮大。確認(rèn)壞的組后，再斷開每臺電容器引至匯流排的軟銅皮，逐臺檢查即可找到擊穿的電容器。每臺電容器由六個芯子組成，外殼為一極，另一極分別通過六個絕緣子引到端蓋上，一般只會有一個芯子被擊穿，跳開這個絕緣子上的引線，這臺電容器可以繼續(xù)使用，其容量是原來的5/6。電容器的另一個故障是漏油，一般不影響使用，但要注意防火。安裝電容器的角鋼與電容器架是絕緣的，如果絕緣擊穿將使主回路接地，測量電容器外殼引線和電容器架之間的電阻，可以判斷這部分的絕緣狀況。