拋光的過程有2個，即“干拋光與濕拋光”，拋光磨石在“干與濕”之間當石材產(chǎn)品發(fā)生物理化學作用，干拋光是在石材表面溫度升高使水分蒸發(fā)，導致拋光磨石濃度增大，從而達到強化效果，產(chǎn)品光澤度開始達到了理想要求，光澤度達85度以上或更高。

拋光磨石在被加工產(chǎn)品上拋光，待拋光產(chǎn)品燙手后，將板面加水量水，以起到降溫作用，不允許連續(xù)加水或大量加水，否則，水的潤滑作用將會使拋光達不到理想效果，也不能全部使用干拋光，過高的溫度會燒壞板面，而且會使板面出現(xiàn)裂紋。

一般而言，產(chǎn)品精磨后，產(chǎn)品的光澤度在40~50左右，而有些石材精磨后達不到上面的光澤度，如山西黑、黑金砂、集寧黑等，此類產(chǎn)品精磨后的光澤度只有20~30度之間，用前面的微粒研磨原理解釋不夠一面，這種產(chǎn)品在拋光“干與濕”，溫度的升高，降溫中，強化拋光過程，發(fā)生物理化學反應，產(chǎn)品在經(jīng)過“干拋光、濕拋光”中，光澤度逐步提高，光澤度達95度以上。

至于中溫固化劑和高溫固化劑，則要以被著體的耐熱性以及固化物的耐熱性、粘接性和耐藥品性等為基準來選擇。選擇重點為多胺和酸酐。由于酸酐固化物具有優(yōu)良的電性能，所以廣泛用于電子、電器方面。

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。

（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。

適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。