鎮(zhèn)江純水設(shè)備廠家|半導(dǎo)體芯片清洗超純水設(shè)備郭懷影【】

半導(dǎo)體芯片清洗超純水設(shè)備出水水質(zhì)完全符合美國(guó)ASTM純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、我國(guó)電子工業(yè)部電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)（18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級(jí)標(biāo)準(zhǔn)）、我國(guó)電子工業(yè)部高純水水質(zhì)試行標(biāo)準(zhǔn)、美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)、日本集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。

半導(dǎo)體芯片清洗超純水設(shè)備制備工藝：

1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線器→拋光混床→精密過濾器→用水對(duì)象（≥15MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)

2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對(duì)象（≥16MΩ.CM）(Z新工藝)

3、預(yù)處理→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)（PH調(diào)節(jié)）→中間水箱→第二級(jí)反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對(duì)象（≥17MΩ.CM）(Z新工藝)

半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備工作原理

EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜之間形成EDI單元。EDI工作原理如下圖所示。EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設(shè)置陰/陽電極。在直流電的推動(dòng)下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進(jìn)入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統(tǒng)，成為濃水. EDI設(shè)備一般以反滲透(RO)純水作為EDI給水。RO純水電導(dǎo)率一般是40-2μS/cm(25℃)。EDI純水電阻率可以高達(dá)18 MΩ.cm(25℃)，但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25℃)的純水。

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