宿遷純水設備廠家|半導體芯片清洗超純水設備郭懷影【】

半導體芯片清洗超純水設備出水水質完全符合美國ASTM純水水質標準、我國電子工業(yè)部電子級水質技術標準（18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標準）、我國電子工業(yè)部高純水水質試行標準、美國半導體工業(yè)用純水指標、日本集成電路水質標準、國內(nèi)外大規(guī)模集成電路水質標準。

半導體芯片清洗超純水設備制備工藝：

1、預處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線器→拋光混床→精密過濾器→用水對象（≥15MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)

2、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥16MΩ.CM）(Z新工藝)

3、預處理→一級反滲透→加藥機（PH調節(jié)）→中間水箱→第二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥17MΩ.CM）(Z新工藝)

半導體清洗用超純水設備工作原理

EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜之間形成EDI單元。EDI工作原理如下圖所示。EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設置陰/陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統(tǒng)，成為濃水. EDI設備一般以反滲透(RO)純水作為EDI給水。RO純水電導率一般是40-2μS/cm(25℃)。EDI純水電阻率可以高達18 MΩ.cm(25℃)，但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25℃)的純水。

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