在光伏領(lǐng)域，線鋸技術(shù)的進(jìn)步縮小了硅片厚度并降低了切割過(guò)程中的材料損耗，從而減少了太陽(yáng)能電力的硅材料消耗量。（因此，線鋸技術(shù)對(duì)于降低太陽(yáng)能每瓦成本并終促使其達(dá)到電網(wǎng)平價(jià)起到了至關(guān)重要的作用。的線鋸技術(shù)帶來(lái)了很多創(chuàng)新，提高了生產(chǎn)力并通過(guò)更薄的硅片減少了硅材料的消耗。

半導(dǎo)體硅用量或產(chǎn)量以單晶硅數(shù)量(以噸計(jì))和硅片面積(平方英寸)來(lái)表述。是一類具有半導(dǎo)體性能，用來(lái)制作半導(dǎo)體器件的硅材料，主要包括硅粉、硅棒、硅片、籽晶、單晶硅、多晶硅、半導(dǎo)體晶體管、單晶硅棒、單晶硅片、單晶硅切磨片、單晶硅拋光片、單晶硅外延片、單晶硅太陽(yáng)能電池板、單晶硅芯片、砷化鎵、單晶鍺、太陽(yáng)能電池圓片、方片、二級(jí)管、三級(jí)管、硅堆、復(fù)合半導(dǎo)體器件、微波射頻器件、可控硅器件、高頻管、低頻管、功率管、MOS管、集成電路等等。

多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。

利用價(jià)值：從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

單晶硅片：硅的單晶體，是一種具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。